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CY7C1373D-100AXC

CY7C1373D-100AXC

数据手册.pdf

18兆位（ 512K ×36 / 1M ×18 ）流通型SRAM与NoBLTM架构 18-Mbit 512K x 36/1M x 18 Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture

SRAM - 同步，SDR 存储器 IC 18Mb（1M x 18） 并联 100-TQFP（14x20）


立创商城:
CY7C1373D-100AXC


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SRAM Chip Sync Dual 3.3V 18M-Bit 1M x 18 8.5ns 100-Pin TQFP Tray


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CY7C1373D-100AXC中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 100MHz max

位数 18

存取时间 8.5 ns

内存容量 18000000 B

存取时间Max 8.5 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3.135 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 100

封装 TQFP-100

外形尺寸

高度 1.4 mm

封装 TQFP-100

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CY7C1373D-100AXC引脚图与封装图
CY7C1373D-100AXC引脚图

CY7C1373D-100AXC引脚图

CY7C1373D-100AXC封装图

CY7C1373D-100AXC封装图

CY7C1373D-100AXC封装焊盘图

CY7C1373D-100AXC封装焊盘图

在线购买CY7C1373D-100AXC
型号 制造商 描述 购买
CY7C1373D-100AXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 18兆位（ 512K ×36 / 1M ×18 ）流通型SRAM与NoBLTM架构 18-Mbit 512K x 36/1M x 18 Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture 搜索库存
替代型号CY7C1373D-100AXC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： CY7C1373D-100AXC

品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装： TQFP 18000000B 3.3V 100us 100Pin

当前型号

18兆位（ 512K ×36 / 1M ×18 ）流通型SRAM与NoBLTM架构 18-Mbit 512K x 36/1M x 18 Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture

当前型号

型号： CY7C1373KV33-100AXC

品牌： 赛普拉斯

封装： QFP

完全替代

SRAM,CMOS,1Mb × 18 18Mb,65nm, 3.3V VDD,100MHz,100Pin TQFP,0 °C to +70℃

CY7C1373D-100AXC和CY7C1373KV33-100AXC的区别

型号： CY7C1373D-133AXI

品牌： 赛普拉斯

封装： TQFP

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CY7C1373D-100AXC和CY7C1373D-133AXI的区别

型号： CY7C1373D-100AXCT

品牌： 赛普拉斯

封装： TQFP 18000000B 3.3V 100µs 100Pin

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