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CY14V101LA-BA45XIT

CY14V101LA-BA45XIT

数据手册.pdf

1兆位( 128千X 8/64的K× 16 )的nvSRAM无限的读,写和召回周期 1-Mbit 128 K x 8/64 K x 16 nvSRAM Infinite read, write, and recall cycles

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 45ns 48-FBGA 6x10


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IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA


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Win Source:
IC NVSRAM 1MBIT 45NS 48FBGA


CY14V101LA-BA45XIT中文资料参数规格
技术参数

供电电流 52 mA

存取时间 45 ns

存取时间Max 45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 FBGA-48

外形尺寸

封装 FBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

CY14V101LA-BA45XIT引脚图与封装图
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在线购买CY14V101LA-BA45XIT
型号 制造商 描述 购买
CY14V101LA-BA45XIT Cypress Semiconductor 赛普拉斯 1兆位( 128千X 8/64的K× 16 )的nvSRAM无限的读,写和召回周期 1-Mbit 128 K x 8/64 K x 16 nvSRAM Infinite read, write, and recall cycles 搜索库存
替代型号CY14V101LA-BA45XIT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY14V101LA-BA45XIT

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

当前型号

1兆位( 128千X 8/64的K× 16 )的nvSRAM无限的读,写和召回周期 1-Mbit 128 K x 8/64 K x 16 nvSRAM Infinite read, write, and recall cycles

当前型号

型号: CY14V101LA-BA45XI

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

完全替代

CY14V101 系列 1 Mb 128k x 8 /64k x 16 NVSRAM - FBGA-48

CY14V101LA-BA45XIT和CY14V101LA-BA45XI的区别