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CY14V101QS-SE108XI

CY14V101QS-SE108XI

数据手册.pdf

非易失性SRAM NVSRAM, 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, QSPI, 2.7V至3.6V, SOIC-16

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 1Mb 128K x 8 SPI 108MHz 16-SOIC


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CY14V101QS-SE108XI


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IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC


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NVRAM 1-Mbit 128KX8 Quad SPI nvSRAM


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NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1Mbit 3V 16-Pin SOIC W Tube


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NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1Mbit 3V 16-Pin SOIC Tube


CY14V101QS-SE108XI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 33 mA

针脚数 16

耗散功率 1 W

存取时间Max 7 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

CY14V101QS-SE108XI引脚图与封装图
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CY14V101QS-SE108XI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 非易失性SRAM NVSRAM, 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, QSPI, 2.7V至3.6V, SOIC-16 搜索库存