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CY7C1420KV18-300BZXC

CY7C1420KV18-300BZXC

数据手册.pdf

36兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 300MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1420KV18-300BZXC中文资料参数规格
技术参数

供电电流 560 mA

时钟频率 300 MHz

位数 36

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

CY7C1420KV18-300BZXC引脚图与封装图
CY7C1420KV18-300BZXC引脚图

CY7C1420KV18-300BZXC引脚图

在线购买CY7C1420KV18-300BZXC
型号 制造商 描述 购买
CY7C1420KV18-300BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 36兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture 搜索库存