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CY7C1041CV33-10BAXA

CY7C1041CV33-10BAXA

数据手册.pdf

SRAM(静态随机存取存储器)

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CY7C1041CV33-10BAXA中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

供电电流 100 mA

时钟频率 1 MHz

位数 16

存取时间 10 ns

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 FBGA-48

外形尺寸

长度 8.5 mm

宽度 7 mm

高度 0.21 mm

封装 FBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CY7C1041CV33-10BAXA引脚图与封装图
CY7C1041CV33-10BAXA引脚图

CY7C1041CV33-10BAXA引脚图

CY7C1041CV33-10BAXA封装图

CY7C1041CV33-10BAXA封装图

CY7C1041CV33-10BAXA封装焊盘图

CY7C1041CV33-10BAXA封装焊盘图

在线购买CY7C1041CV33-10BAXA
型号 制造商 描述 购买
CY7C1041CV33-10BAXA Cypress Semiconductor 赛普拉斯 SRAM(静态随机存取存储器) 搜索库存
替代型号CY7C1041CV33-10BAXA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C1041CV33-10BAXA

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA 3.3V

当前型号

SRAM(静态随机存取存储器)

当前型号

型号: CY7C1041CV33-10BAXIT

品牌: 赛普拉斯

封装:

完全替代

SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48Pin FBGA T/R

CY7C1041CV33-10BAXA和CY7C1041CV33-10BAXIT的区别

型号: CY7C1041CV33-12BAXE

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

类似代替

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CY7C1041CV33-10BAXA和CY7C1041CV33-12BAXE的区别

型号: IS61LV25616AL-10BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: mBGA-48 500000B 3.3V 10ns 48Pin

功能相似

SRAM, 4 Mbit, 256K x 16位, 3.135V 至 3.63V, Mini BGA, 48 引脚, 10 ns

CY7C1041CV33-10BAXA和IS61LV25616AL-10BLI的区别