CY7C1046DV33-10VXIT中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 10.0 GHz
位数 4
存取时间 10 ns
内存容量 4000000 B
存取时间Max 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 32
封装 SOJ-32
外形尺寸
封装 SOJ-32
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CY7C1046DV33-10VXIT引脚图与封装图
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在线购买CY7C1046DV33-10VXIT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY7C1046DV33-10VXIT | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 1M x 4Bit 10ns 32Pin SOJ T/R | 搜索库存 |
替代型号CY7C1046DV33-10VXIT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY7C1046DV33-10VXIT 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： SOJ 4000000B 3.3V 10ns | 当前型号 | SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 1M x 4Bit 10ns 32Pin SOJ T/R | 当前型号 |
| 型号： CY7C1046DV33-10VXI 品牌： 赛普拉斯 封装： SOJ 4000000B 3.3V 10ns | 完全替代 | 4兆位（ 1M ×4 ），静态RAM 4-Mbit 1M x 4 Static RAM | CY7C1046DV33-10VXIT和CY7C1046DV33-10VXI的区别 |
| 型号： GS74104AGJ-10I 品牌： GSI 封装： | 功能相似 | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM | CY7C1046DV33-10VXIT和GS74104AGJ-10I的区别 |
| 型号： GS74104AGJ-10T 品牌： GSI 封装： | 功能相似 | Standard SRAM, 1MX4, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-32 | CY7C1046DV33-10VXIT和GS74104AGJ-10T的区别 |