CY14MB064J1-SXI中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
存取时间Max 900 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
高度 1.48 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
CY14MB064J1-SXI引脚图与封装图 
CY14MB064J1-SXI引脚图
CY14MB064J1-SXI封装图
CY14MB064J1-SXI封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY14MB064J1-SXI | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 64千位（为8K ×8 ）串行（ I2C ）的nvSRAM非易失性存储/调用 64-Kbit 8 K x 8 Serial I2C nvSRAM Nonvolatile STORE/RECALL | 搜索库存 |