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CGA8N3X7S2A475K230KB

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TDK(东电化) 被动器件

TDK  CGA8N3X7S2A475K230KB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, AEC-Q200 CGA系列, 4.7 µF, ± 10%, X7S, 100 V, 1812 [4532 公制]

±10% 100V 陶瓷器 X7S 1812（4532 公制）


得捷:
CAP CER 4.7UF 100V X7S 1812


立创商城:
4.7uF ±10% 100V


艾睿:
Cap Ceramic 4.7uF 100V X7S 10% Pad SMD 1812 125°C Automotive T/R


安富利:
CAP 4.7UF 100V X7S 20% SMD 1812


Verical:
Cap Ceramic 4.7uF 100V X7S 10% Pad SMD 1812 125C Automotive T/R


Newark:
# TDK  CGA8N3X7S2A475K230KB  Multilayer Ceramic Capacitor, AEC-Q200 CGA Series, 4.7 F, 10%, X7S, 100 V


CGA8N3X7S2A475K230KB中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

电容 4.7 µF

容差 ±10 %

电介质特性 X7S

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 100 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 4832

封装 1812

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 3.2 mm

高度 2.3 mm

封装公制 4832

封装 1812

厚度 2.3 mm

物理参数

材质 X7S/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Production Not Recommended for New Design

包装方式 Cut Tape CT

最小包装 500

制造应用 Automotive, 车用, 汽车级, Automotive Grade

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

CGA8N3X7S2A475K230KB引脚图与封装图
CGA8N3X7S2A475K230KB引脚图

CGA8N3X7S2A475K230KB引脚图

CGA8N3X7S2A475K230KB封装图

CGA8N3X7S2A475K230KB封装图

CGA8N3X7S2A475K230KB封装焊盘图

CGA8N3X7S2A475K230KB封装焊盘图

在线购买CGA8N3X7S2A475K230KB
型号 制造商 描述 购买
CGA8N3X7S2A475K230KB TDK 东电化 TDK  CGA8N3X7S2A475K230KB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, AEC-Q200 CGA系列, 4.7 µF, ± 10%, X7S, 100 V, 1812 [4532 公制] 搜索库存
替代型号CGA8N3X7S2A475K230KB
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： CGA8N3X7S2A475K230KB

品牌： TDK 东电化

封装： 4.7uF 100V 10per

当前型号

TDK  CGA8N3X7S2A475K230KB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, AEC-Q200 CGA系列, 4.7 µF, ± 10%, X7S, 100 V, 1812 [4532 公制]

当前型号

型号： C4532X7S2A475K230KB

品牌： 东电化

封装： 1812 4.7uF 100V 10per

完全替代

TDK C 型 1812 系列MLCC C 系列是单片电路结构，可确保极佳的机械强度和可靠性 通过精密技术实现高电容，该技术可使用多个较薄的陶瓷电介质层低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR，低自加热且耐高纹波 应用： •一般电子设备 • 移动通信设备 • 电源电路 • 办公自动化设备 • 电视、LED 显示器 • 服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 1812 系列### 注根据电介质、电压及电容分类。

CGA8N3X7S2A475K230KB和C4532X7S2A475K230KB的区别