额定电压DC 100 V
电容 4.7 µF
容差 ±20 %
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 55 ℃
额定电压 100 V
安装方式 Surface Mount
封装公制 4832
封装 1812
长度 4.5 mm
宽度 3.2 mm
高度 2.3 mm
封装公制 4832
封装 1812
厚度 2.3 mm
材质 X7S/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 500
制造应用 Automotive Grade
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CGA8N3X7S2A475M230KB引脚图
CGA8N3X7S2A475M230KB封装图
CGA8N3X7S2A475M230KB封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CGA8N3X7S2A475M230KB | TDK 东电化 | 1812 4.7uF ±20% 100V X7S | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CGA8N3X7S2A475M230KB 品牌: TDK 东电化 封装: 1812 4.7uF 20per 100V | 当前型号 | 1812 4.7uF ±20% 100V X7S | 当前型号 | |
型号: C4532X7S2A475M230KB 品牌: 东电化 封装: 4.7uF 100V 20per | 类似代替 | TDK C4532X7S2A475M230KB. 陶瓷电容, 4.7uF, 100V, X7S, 1812 | CGA8N3X7S2A475M230KB和C4532X7S2A475M230KB的区别 | |
型号: C4532X7S2A475MT 品牌: 东电化 封装: 1812 | 类似代替 | SPECIFICATION FOR TDK MULTILAYER CERAMIC CHIP CAPACITORS | CGA8N3X7S2A475M230KB和C4532X7S2A475MT的区别 |