C4532X7R1H475M/2.00
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TDK
东电化
被动器件
C4532X7R1H475M/2.00中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 4.7 µF
容差 ±20 %
电介质特性 X7R
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装公制 4832
封装 1812
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 3.2 mm
封装公制 4832
封装 1812
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
C4532X7R1H475M/2.00引脚图与封装图
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在线购买C4532X7R1H475M/2.00
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C4532X7R1H475M/2.00 | TDK 东电化 | TDK C4532X7R1H475M/2.00 陶瓷电容, 4.7uF, 50V, X7R, 1812 | 搜索库存 |
替代型号C4532X7R1H475M/2.00
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C4532X7R1H475M/2.00 品牌： TDK 东电化 封装： 1812 4.7F 50V 20per | 当前型号 | TDK C4532X7R1H475M/2.00 陶瓷电容, 4.7uF, 50V, X7R, 1812 | 当前型号 |
| 型号： C4532X7R1H475M200KB 品牌： 东电化 封装： 4532 4.7uF 50V 20per | 完全替代 | TDK C4532X7R1H475M200KB 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C Series, 4.7 µF, ± 20%, X7R, 50 V, 1812 [4532 公制] | C4532X7R1H475M/2.00和C4532X7R1H475M200KB的区别 |