C3216JB1V475K085AB
数据手册.pdfTDK(东电化)
被动器件
C3216JB1V475K085AB中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 35.0 V
电容 4.7 µF
容差 ±10 %
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
额定电压 35 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 3216
封装 1206
外形尺寸
长度 3.20 mm
宽度 1.60 mm
高度 0.85 mm
封装公制 3216
封装 1206
厚度 0.85 mm
物理参数
材质 -B/-25℃~+85℃
介质材料 Ceramic Multilayer
工作温度 -25℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 4000
制造应用 Commercial Grade, 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
C3216JB1V475K085AB引脚图与封装图 
C3216JB1V475K085AB引脚图
C3216JB1V475K085AB封装图
C3216JB1V475K085AB封装焊盘图
在线购买C3216JB1V475K085AB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C3216JB1V475K085AB | TDK 东电化 | 1206 4.7uF ±10% 35V -B | 搜索库存 |
替代型号C3216JB1V475K085AB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C3216JB1V475K085AB 品牌： TDK 东电化 封装： 1206 4.7uF 35V 10per | 当前型号 | 1206 4.7uF ±10% 35V -B | 当前型号 |
| 型号： C3216JB1V475M085AB 品牌： 东电化 封装： 1206 4.7uF 20per 35V | 类似代替 | 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 1206 35V 4.7uF JB 20% T: 0.85mm | C3216JB1V475K085AB和C3216JB1V475M085AB的区别 |
| 型号： C3216JB1V475M160AB 品牌： 东电化 封装： 1206 4.7uF 20per 35V | 类似代替 | 1206 4.7uF ±20% 35V -B | C3216JB1V475K085AB和C3216JB1V475M160AB的区别 |
| 型号： C3216JB1V475K160AB 品牌： 东电化 封装： 1206 4.7uF 10per 35V | 类似代替 | 1206 4.7uF ±10% 35V -B | C3216JB1V475K085AB和C3216JB1V475K160AB的区别 |