CIH03T1N8SNC

Samsung(三星) 被动器件

0201 1.8nH ±0.3nH

1.8nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 190mOhm Max 0201 0603 Metric

得捷:
FIXED IND 1.8NH 200MA 190MOHM SM

艾睿:
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 1.8nH 0.3nH 100MHz 4Q-Factor Ceramic 200mA 190mOhm DCR 0201 T/R

安富利:
Ind High Frequency Chip Multi-Layer 1.8nH 0.3nH 100MHz 4Q-Factor Ceramic 200mA 0201 Paper T/R

Win Source:
FIXED IND 1.8NH 200MA 190 MOHM

CIH03T1N8SNC中文资料参数规格

技术参数

额定电流 200 mA

电感 1.8 nH

自谐频率 10 GHz

产品系列 CIH

电感公差 ±0.3 nH

测试频率 100 MHz

电阻DC） ≤190 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

电阻DC Max 0.19 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 0603

封装 0201

外形尺寸

长度 0.6 mm

宽度 0.3 mm

高度 0.33 mm

封装公制 0603

封装 0201

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 10000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CIH03T1N8SNC引脚图与封装图

CIH03T1N8SNC引脚图

CIH03T1N8SNC封装图

CIH03T1N8SNC封装焊盘图

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CIH03T1N8SNC	Samsung 三星	0201 1.8nH ±0.3nH	搜索库存