CGJ4J3X7R1H474K125AB
数据手册.pdfTDK(东电化)
被动器件
CGJ4J3X7R1H474K125AB中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50 V
电容 0.47 µF
容差 ±10 %
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
厚度 1.25 mm
物理参数
材质 X7R/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 3000
制造应用 High Reliability Grade, 高可靠性, 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CGJ4J3X7R1H474K125AB引脚图与封装图 
CGJ4J3X7R1H474K125AB引脚图
CGJ4J3X7R1H474K125AB封装图
CGJ4J3X7R1H474K125AB封装焊盘图
在线购买CGJ4J3X7R1H474K125AB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CGJ4J3X7R1H474K125AB | TDK 东电化 | 0805 470nF ±10% 50V X7R | 搜索库存 |
替代型号CGJ4J3X7R1H474K125AB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CGJ4J3X7R1H474K125AB 品牌： TDK 东电化 封装： 0805 470nF 50V 10per | 当前型号 | 0805 470nF ±10% 50V X7R | 当前型号 |
| 型号： CGA4J3X7R1H474K125AB 品牌： 东电化 封装： 0805 470nF 50V 10per | 完全替代 | TDK CGA4J3X7R1H474K125AB 多层陶瓷电容器, 表面贴装, CGA系列, 0.47 µF, ± 10%, X7R, 50 V, 0805 [2012 公制] | CGJ4J3X7R1H474K125AB和CGA4J3X7R1H474K125AB的区别 |
| 型号： C2012X7R1H474K125AB 品牌： 东电化 封装： 2012 470nF 50V 10per | 完全替代 | TDK C 型 0805 系列 C0G、X6S、X7R、X7S、X7T、X8R、Y5V 电介质高电容，采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR，低自加热且耐高纹波 商用级，适用于一般应用，包括 一般电子设备；移动通信设备；电源电路；办公自动化设备；电视、LED 显示屏；服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。 | CGJ4J3X7R1H474K125AB和C2012X7R1H474K125AB的区别 |
| 型号： CL21B474KBF4PNE 品牌： 三星 封装： 0805（2012 470nF 50V ±10% | 类似代替 | CL21 系列 0805 470 nF 50 V ±10 % X7R 表面贴装 多层陶瓷电容 | CGJ4J3X7R1H474K125AB和CL21B474KBF4PNE的区别 |