C2012JB1E475M125AB
数据手册.pdfTDK(东电化)
被动器件
C2012JB1E475M125AB中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
电容 4.70 µF
容差 ±20 %
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
额定电压 25 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
厚度 1.25 mm
物理参数
材质 -B/-25℃~+85℃
介质材料 Ceramic Multilayer
工作温度 -25℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
最小包装 3000
制造应用 Commercial Grade, 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
C2012JB1E475M125AB引脚图与封装图 
C2012JB1E475M125AB引脚图
C2012JB1E475M125AB封装图
C2012JB1E475M125AB封装焊盘图
在线购买C2012JB1E475M125AB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C2012JB1E475M125AB | TDK 东电化 | 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 0805 25V 4.7uF JB 20% T: 1.25mm | 搜索库存 |
替代型号C2012JB1E475M125AB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C2012JB1E475M125AB 品牌： TDK 东电化 封装： 2012 4.7uF 20per 25V | 当前型号 | 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 0805 25V 4.7uF JB 20% T: 1.25mm | 当前型号 |
| 型号： C2012JB1E475K125AB 品牌： 东电化 封装： 2012 4.7uF 10per 25V | 类似代替 | 0805 4.7uF ±10% 25V -B | C2012JB1E475M125AB和C2012JB1E475K125AB的区别 |
| 型号： C2012JB1E475M085AC 品牌： 东电化 封装： 2012 4.7uF 20per 25V | 类似代替 | 0805 4.7uF ±20% 25V -B | C2012JB1E475M125AB和C2012JB1E475M085AC的区别 |
| 型号： C2012JB1E475K085AC 品牌： 东电化 封装： 2012 4.7uF 10per 25V | 功能相似 | C 系列 0805 4.7 uF 25 V JB ±10% 容差 表面贴装 多层陶瓷电容 | C2012JB1E475M125AB和C2012JB1E475K085AC的区别 |