C4532X7R1H475M200KB
数据手册.pdfTDK(东电化)
被动器件
C4532X7R1H475M200KB中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 4.7 µF
容差 ±20 %
电介质特性 X7R
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装公制 4532
封装 1812
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 3.20 mm
高度 2 mm
封装公制 4532
封装 1812
厚度 2.00 mm
物理参数
材质 X7R/-55℃~+125℃
介质材料 Ceramic Multilayer
工作温度 -55℃ ~ 125℃
温度系数 ±15 %
其他
产品生命周期 Production Not Recommended for New Design
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 1000
制造应用 便携式器材, Consumer Electronics, Commercial Grade, 通用, Power Management, 电源管理, 消费电子产品, 工业, Industrial, Portable Devices
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
C4532X7R1H475M200KB引脚图与封装图 
C4532X7R1H475M200KB引脚图
C4532X7R1H475M200KB封装图
C4532X7R1H475M200KB封装焊盘图
在线购买C4532X7R1H475M200KB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C4532X7R1H475M200KB | TDK 东电化 | TDK C4532X7R1H475M200KB 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C Series, 4.7 µF, ± 20%, X7R, 50 V, 1812 [4532 公制] | 搜索库存 |
替代型号C4532X7R1H475M200KB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C4532X7R1H475M200KB 品牌： TDK 东电化 封装： 4532 4.7uF 50V 20per | 当前型号 | TDK C4532X7R1H475M200KB 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C Series, 4.7 µF, ± 20%, X7R, 50 V, 1812 [4532 公制] | 当前型号 |
| 型号： C4532X7R1H475M/2.00 品牌： 东电化 封装： 1812 4.7F 50V 20per | 完全替代 | TDK C4532X7R1H475M/2.00 陶瓷电容, 4.7uF, 50V, X7R, 1812 | C4532X7R1H475M200KB和C4532X7R1H475M/2.00的区别 |
| 型号： C4532X7R1H475K200KB 品牌： 东电化 封装： 4532 4.7uF 50V 10per | 类似代替 | TDK C4532X7R1H475K200KB 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C Series, 4.7 µF, ± 10%, X7R, 50 V, 1812 [4532 公制] 新 | C4532X7R1H475M200KB和C4532X7R1H475K200KB的区别 |