C4532X7R1H475K/2.00
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TDK
东电化
被动器件
C4532X7R1H475K/2.00中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 4.7 µF
容差 ±10 %
电介质特性 X7R
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装公制 4832
封装 1812
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 3.2 mm
高度 2 mm
封装公制 4832
封装 1812
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
C4532X7R1H475K/2.00引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C4532X7R1H475K/2.00 | TDK 东电化 | TDK C4532X7R1H475K/2.00 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C系列, 4.7 µF, ± 10%, X7R, 50 V, 1812 [4532 公制] | 搜索库存 |