![C2012X7R1H474K125AE](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_58/chanpintu/c2012x7r1h474k125ae-yTV0qfXl-3jd8bnJJj.png)
额定电压DC 50 V
电容 470000 pF
容差 ±10 %
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
厚度 1.25 mm
材质 X7R/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 3000
制造应用 Boardflex 敏感, Please refer to Part No., for Automotive use., Commercial Grade
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
![C2012X7R1H474K125AE引脚图](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_58/yinjiaotu/c2012x7r1h474k125ae-yTV0qfXl-OjOXmEp7Z.png)
C2012X7R1H474K125AE引脚图
![C2012X7R1H474K125AE封装图](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_58/fengzhuangtu/c2012x7r1h474k125ae-20200605-loeQPWYLo.png)
C2012X7R1H474K125AE封装图
![C2012X7R1H474K125AE封装焊盘图](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_58/hanpantu/c2012x7r1h474k125ae-20200605-6q5b0WBWo.png)
C2012X7R1H474K125AE封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
C2012X7R1H474K125AE | TDK 东电化 | 0805 470nF ±10% 50V X7R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: C2012X7R1H474K125AE 品牌: TDK 东电化 封装: 0805 470nF 10per 50V | 当前型号 | 0805 470nF ±10% 50V X7R | 当前型号 | |
型号: C2012X7R1H474K125AB 品牌: 东电化 封装: 2012 470nF 50V 10per | 类似代替 | TDK C 型 0805 系列 C0G、X6S、X7R、X7S、X7T、X8R、Y5V 电介质高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是温度补偿的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。 | C2012X7R1H474K125AE和C2012X7R1H474K125AB的区别 | |
型号: CGJ4J3X7R1H474K125AB 品牌: 东电化 封装: 0805 470nF 50V 10per | 类似代替 | 0805 470nF ±10% 50V X7R | C2012X7R1H474K125AE和CGJ4J3X7R1H474K125AB的区别 | |
型号: CL21B474KBFNNNE 品牌: 三星 封装: 0805 470nF 50V 10per | 功能相似 | CL21 系列 0805 0.47 uF 50 V 10 % X7R SMD 多层陶瓷电容 | C2012X7R1H474K125AE和CL21B474KBFNNNE的区别 |