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CGA4J3X5R1H105K125AB

CGA4J3X5R1H105K125AB

数据手册.pdf
TDK(东电化) 被动器件

0805 1uF ±10% 50V X5R

1µF ±10% 50V Ceramic Capacitor


得捷:
CAP CER 1UF 50V X5R 0805


立创商城:
1uF ±10% 50V


艾睿:
Cap Ceramic 1uF 50V X5R 10% SMD 0805 85°C Automotive T/R


CGA4J3X5R1H105K125AB中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50 V

电容 1 µF

容差 ±10 %

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.25 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

材质 X5R/-55℃~+85℃

工作温度 -55℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Production Not Recommended for New Design

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2000

制造应用 汽车级, Automotive Grade

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CGA4J3X5R1H105K125AB引脚图与封装图
CGA4J3X5R1H105K125AB引脚图

CGA4J3X5R1H105K125AB引脚图

CGA4J3X5R1H105K125AB封装图

CGA4J3X5R1H105K125AB封装图

CGA4J3X5R1H105K125AB封装焊盘图

CGA4J3X5R1H105K125AB封装焊盘图

在线购买CGA4J3X5R1H105K125AB
型号 制造商 描述 购买
CGA4J3X5R1H105K125AB TDK 东电化 0805 1uF ±10% 50V X5R 搜索库存
替代型号CGA4J3X5R1H105K125AB
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CGA4J3X5R1H105K125AB

品牌: TDK 东电化

封装: 0805 1uF 10per 50V

当前型号

0805 1uF ±10% 50V X5R

当前型号

型号: UMK212BJ105KG-T

品牌: 太诱

封装: 0805 1uF 50V 10per

类似代替

TAIYO YUDEN  UMK212BJ105KG-T  陶瓷电容, 1uF, 50V, X5R, 10%, 0805, 整卷

CGA4J3X5R1H105K125AB和UMK212BJ105KG-T的区别

型号: CGA4J3X5R1H105M125AB

品牌: 东电化

封装: 0805 1uF 20per 50V

类似代替

0805 1uF ±20% 50V X5R

CGA4J3X5R1H105K125AB和CGA4J3X5R1H105M125AB的区别

型号: C2012X5R1H105K125AB

品牌: 东电化

封装: 2012 1uF 50V 10per

功能相似

TDK C 型 0805 系列,X5R 电介质高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。

CGA4J3X5R1H105K125AB和C2012X5R1H105K125AB的区别