CGA4J3X7R1V474K125AB
数据手册.pdfTDK(东电化)
被动器件
CGA4J3X7R1V474K125AB中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 35 V
电容 0.47 µF
容差 ±10 %
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 35 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
材质 X7R/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 2000
制造应用 Automotive Grade, 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CGA4J3X7R1V474K125AB引脚图与封装图 
CGA4J3X7R1V474K125AB引脚图
CGA4J3X7R1V474K125AB封装图
CGA4J3X7R1V474K125AB封装焊盘图
在线购买CGA4J3X7R1V474K125AB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CGA4J3X7R1V474K125AB | TDK 东电化 | 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT CGA 0805 35V 0.47uF X7R 10% AEC-Q200 | 搜索库存 |
替代型号CGA4J3X7R1V474K125AB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CGA4J3X7R1V474K125AB 品牌： TDK 东电化 封装： 0805 470nF 35V 10per | 当前型号 | 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT CGA 0805 35V 0.47uF X7R 10% AEC-Q200 | 当前型号 |
| 型号： CGA4J3X7R1H474K125AB 品牌： 东电化 封装： 0805 470nF 50V 10per | 功能相似 | TDK CGA4J3X7R1H474K125AB 多层陶瓷电容器, 表面贴装, CGA系列, 0.47 µF, ± 10%, X7R, 50 V, 0805 [2012 公制] | CGA4J3X7R1V474K125AB和CGA4J3X7R1H474K125AB的区别 |
| 型号： CGA4J2X7R1E474K125AA 品牌： 东电化 封装： 0805 470nF 25V 10per | 功能相似 | CGA 系列 0805 0.47 uF 25 V ±10% 容差 X7R 多层陶瓷电容 | CGA4J3X7R1V474K125AB和CGA4J2X7R1E474K125AA的区别 |