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CRGH1206F1K0

CRGH1206F1K0

数据手册.pdf

TE CONNECTIVITY  CRGH1206F1K0  片式电阻器, 表面贴装, 厚膜, CRG系列, 1 kohm, 200 V, 1206 [3216公制], 500 mW, ± 1%

1206 格式 CRGH 系列器,0.5W

CRGH 系列片式电阻器是 CRG 的高功率型号,外壳尺寸相同,在 70°C 时额定功率为两倍

CRGH 系列片式电阻器适用于大多数应用,包括高频率操作,得益于短引线结构和小电容


欧时:
### 1206 格式 CRGH 系列电阻器,0.5WCRGH 系列片式电阻器是 CRG 的高功率型号,外壳尺寸相同,在 70°C 时额定功率为两倍 CRGH 系列片式电阻器适用于大多数应用,包括高频率操作,得益于短引线结构和小电容 ### 厚膜 - 1206


得捷:
RES SMD 1K OHM 1% 1/2W 1206


立创商城:
1kΩ ±1% 500mW


e络盟:
SMD片式电阻, 功率, 1206 [3216公制], 1 kohm, CRGH Series, 200 V, 厚膜, 500 mW


Allied Electronics:
CRGH Series Thick Film Resistor 1206 Case 1kOhms +/-1% 0.5W +/-200ppm/degC


安富利:
Res Thick Film 1206 1K Ohm 1% 1/2W ±100ppm/°C Molded SMD SMD T/R


Newark:
# TE CONNECTIVITY  CRGH1206F1K0  SMD Chip Resistor, Power, 1 kohm, 200 V, 1206 [3216 Metric], 500 mW, ± 1%, CRGH Series


CRGH1206F1K0中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

容差 ±1 %

额定功率 500 mW

产品系列 CRGH

电阻 1 kΩ

阻值偏差 ±1 %

工作温度Max 155 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 200 V

工作电压Max 200 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.6 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

温度系数 ±100 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

ELV标准 Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

CRGH1206F1K0引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CRGH1206F1K0 TE Connectivity 泰科 TE CONNECTIVITY  CRGH1206F1K0  片式电阻器, 表面贴装, 厚膜, CRG系列, 1 kohm, 200 V, 1206 [3216公制], 500 mW, ± 1% 搜索库存
替代型号CRGH1206F1K0
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CRGH1206F1K0

品牌: TE Connectivity 泰科

封装: 1206 1kohms 500mW 1per

当前型号

TE CONNECTIVITY  CRGH1206F1K0  片式电阻器, 表面贴装, 厚膜, CRG系列, 1 kohm, 200 V, 1206 [3216公制], 500 mW, ± 1%

当前型号

型号: MCWF12P1001FTL

品牌: Multicomp

封装: 1206 1kΩ 500mW ±1%

类似代替

SMD片式电阻, 1206 [3216公制], 1 kohm, MCWF12P Series, 200 V, 厚膜, 500 mW

CRGH1206F1K0和MCWF12P1001FTL的区别

型号: CRCW12061K00FKEAHP

品牌: 威世

封装: 1206 1kΩ 250mW ±1%

功能相似

1206 高功率厚膜片式电阻器,CRCW HP e3 系列 - 0.5W极佳的脉冲负载能力 增强的额定功率 双侧印刷电阻元件 高品质陶瓷金属上釉 保护盖上釉 极好的稳定性(70 °C 时,ΔR/R ≤ 1 % 1000 小时) 镍挡板层无铅焊接触点 纯锡镀层与无铅和含铅焊接工艺兼容

CRGH1206F1K0和CRCW12061K00FKEAHP的区别