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C2012X7R1V105K085AB

C2012X7R1V105K085AB

数据手册.pdf
TDK(东电化) 被动器件

TDK C 型 0805 系列 C0G、X6S、X7R、X7S、X7T、X8R、Y5V 电介质高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。

C 型 0805 系列 C0G、X6S、X7R、X7S、X7T、X8R、Y5V 电介质

TDK C 系列通用多层陶瓷片状器适用于高频率和高密度类型电源。

### 特点和优势:

高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术

单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性

低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。

由于低 ESR,低自加热且耐高纹波

### 应用:

商用级,适用于一般应用,包括

一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑

### 0805 系列

镍挡层端接外覆镀锡 NiSn 层。应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是最受欢迎的“温度补偿”方案,EIA I 级陶瓷材料、X7R、X5R 方案称为“温度稳定”陶瓷且使用 EIA II 级材料;Y5V、Z5U 方案通用于有限温度范围,EIA II 级材料;这些特性十分适用于去耦应用。

C2012X7R1V105K085AB中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 35 V

电容 1 µF

容差 ±10 %

电介质特性 X7R

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 35 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.85 mm

封装公制 2012

封装 0805

厚度 850 µm

物理参数

材质 X7R/-55℃~+125℃

介质材料 Ceramic Multilayer

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±15 %

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 4000

制造应用 Please refer to Part No., 通用, for Automotive use., Commercial Grade

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

C2012X7R1V105K085AB引脚图与封装图
C2012X7R1V105K085AB引脚图

C2012X7R1V105K085AB引脚图

C2012X7R1V105K085AB封装图

C2012X7R1V105K085AB封装图

C2012X7R1V105K085AB封装焊盘图

C2012X7R1V105K085AB封装焊盘图

在线购买C2012X7R1V105K085AB
型号 制造商 描述 购买
C2012X7R1V105K085AB TDK 东电化 TDK C 型 0805 系列 C0G、X6S、X7R、X7S、X7T、X8R、Y5V 电介质 高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列 镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。 搜索库存
替代型号C2012X7R1V105K085AB
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: C2012X7R1V105K085AB

品牌: TDK 东电化

封装: 2012 1uF 35V 10per

当前型号

TDK C 型 0805 系列 C0G、X6S、X7R、X7S、X7T、X8R、Y5V 电介质高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。

当前型号

型号: C2012X7R1C105K125AA

品牌: 东电化

封装: 2012 1uF 16V 10per

功能相似

TDK  C2012X7R1C105K125AA  陶瓷电容, 1uF, 16V, X7R, 10%, 0805, 整卷

C2012X7R1V105K085AB和C2012X7R1C105K125AA的区别

型号: C2012X7R1E105K125AB

品牌: 东电化

封装: 2012 1uF 25V 10per

功能相似

TDK  C2012X7R1E105K125AB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, C系列, 1 µF, ± 10%, X7R, 25 V, 0805 [2012 公制]

C2012X7R1V105K085AB和C2012X7R1E105K125AB的区别

型号: C2012X7R1H105K085AC

品牌: 东电化

封装: 2012 1uF 50V 10per

功能相似

TDK  C2012X7R1H105K085AC  多层陶瓷电容器, 表面贴装, 0805 [2012 公制], 1 µF, 50 V, ± 10%, X7R, C Series 新

C2012X7R1V105K085AB和C2012X7R1H105K085AC的区别