C2012C0G1H562K060AA
数据手册.pdfTDK(东电化)
被动器件
C2012C0G1H562K060AA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50 V
电容 0.0056 µF
容差 ±10 %
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.6 mm
封装公制 2012
封装 0805
厚度 600 µm
物理参数
材质 C0G/-55℃~+125℃
介质材料 Ceramic Multilayer
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 4000
制造应用 通用, Commercial Grade
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
C2012C0G1H562K060AA引脚图与封装图 
C2012C0G1H562K060AA引脚图
C2012C0G1H562K060AA封装图
C2012C0G1H562K060AA封装焊盘图
在线购买C2012C0G1H562K060AA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C2012C0G1H562K060AA | TDK 东电化 | 0805 5.6nF ±10% 50V C0G | 搜索库存 |
替代型号C2012C0G1H562K060AA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C2012C0G1H562K060AA 品牌： TDK 东电化 封装： 2012 5.6nF 10per 50V | 当前型号 | 0805 5.6nF ±10% 50V C0G | 当前型号 |
| 型号： C2012NP01H562J060AA 品牌： 东电化 封装： 0805 5.6nF 50V 5per | 类似代替 | 0805 5.6nF ±5% 50V NPO | C2012C0G1H562K060AA和C2012NP01H562J060AA的区别 |
| 型号： C2012C0G1H562J060AA 品牌： 东电化 封装： 2012 5.6nF 50V 5per | 功能相似 | TDK C 型 0805 系列 C0G、X6S、X7R、X7S、X7T、X8R、Y5V 电介质高电容，采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR，低自加热且耐高纹波 商用级，适用于一般应用，包括 一般电子设备；移动通信设备；电源电路；办公自动化设备；电视、LED 显示屏；服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡层端接外覆镀锡 NiSn 层。应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是最受欢迎的温度补偿方案，EIA I 级陶瓷材料、X7R、X5R 方案称为温度稳定陶瓷且使用 EIA II 级材料；Y5V、Z5U 方案通用于有限温度范围，EIA II 级材料；这些特性十分适用于去耦应用。 | C2012C0G1H562K060AA和C2012C0G1H562J060AA的区别 |