C2012X6S1A475M085AB
数据手册.pdfTDK(东电化)
被动器件
C2012X6S1A475M085AB中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 10.0 V
电容 4.7 µF
容差 ±20 %
电介质特性 X6S
工作温度Max 105 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 10 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2.00 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.85 mm
封装公制 2012
封装 0805
厚度 850 µm
物理参数
材质 X6S/-55℃~+105℃
介质材料 Ceramic Multilayer
工作温度 -55℃ ~ 105℃
其他
产品生命周期 Production Not Recommended for New Design
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 4000
制造应用 通用, Commercial Grade
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
C2012X6S1A475M085AB引脚图与封装图 
C2012X6S1A475M085AB引脚图
C2012X6S1A475M085AB封装图
C2012X6S1A475M085AB封装焊盘图
在线购买C2012X6S1A475M085AB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C2012X6S1A475M085AB | TDK 东电化 | 0805 4.7uF ±20% 10V X6S | 搜索库存 |
替代型号C2012X6S1A475M085AB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C2012X6S1A475M085AB 品牌： TDK 东电化 封装： 2012 4.7uF 10V 20per | 当前型号 | 0805 4.7uF ±20% 10V X6S | 当前型号 |
| 型号： C2012X6S1A475K085AB 品牌： 东电化 封装： 2012 4.7uF 10V 10per | 类似代替 | 0805 4.7uF ±10% 10V X6S | C2012X6S1A475M085AB和C2012X6S1A475K085AB的区别 |
| 型号： C2012X6S1C475K085AC 品牌： 东电化 封装： 2012 4.7uF 16V 10per | 功能相似 | 0805 4.7uF ±10% 16V X6S | C2012X6S1A475M085AB和C2012X6S1C475K085AC的区别 |
| 型号： C2012X6S0J475M125AB 品牌： 东电化 封装： 2012 4.7uF 6.3V 20per | 功能相似 | 0805 4.7uF ±20% 6.3V X6S | C2012X6S1A475M085AB和C2012X6S0J475M125AB的区别 |