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C2012X5R1A106M125AB

C2012X5R1A106M125AB

数据手册.pdf
TDK(东电化) 被动器件

TDK C 型 0805 系列,X5R 电介质高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。

C 型 0805 系列,X5R 电介质

TDK C 系列通用多层陶瓷片状器适用于高频率和高密度类型电源。

### 特点和优势:

高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术

单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性

低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。

由于低 ESR,低自加热且耐高纹波

### 应用

商用级,适用于一般应用,包括

一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑

C2012X5R1A106M125AB中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 10 V

电容 10 µF

容差 ±20 %

电介质特性 X5R

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.25 mm

封装公制 2012

封装 0805

厚度 1.25 mm

物理参数

材质 X5R/-55℃~+85℃

介质材料 Ceramic Multilayer

工作温度 -55℃ ~ 85℃

温度系数 ±15 %

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

最小包装 3000

制造应用 Please refer to Part No., 通用, for Automotive use., Commercial Grade

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

C2012X5R1A106M125AB引脚图与封装图
C2012X5R1A106M125AB引脚图

C2012X5R1A106M125AB引脚图

C2012X5R1A106M125AB封装图

C2012X5R1A106M125AB封装图

C2012X5R1A106M125AB封装焊盘图

C2012X5R1A106M125AB封装焊盘图

在线购买C2012X5R1A106M125AB
型号 制造商 描述 购买
C2012X5R1A106M125AB TDK 东电化 TDK C 型 0805 系列,X5R 电介质 高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列 镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。 搜索库存
替代型号C2012X5R1A106M125AB
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: C2012X5R1A106M125AB

品牌: TDK 东电化

封装: 2012 10uF 10V 20per

当前型号

TDK C 型 0805 系列,X5R 电介质高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。

当前型号

型号: C2012X5R1C106M085AC

品牌: 东电化

封装: 2012 10uF 16V 20per

类似代替

TDK  C2012X5R1C106M085AC  多层陶瓷电容器, 表面贴装, C Series, 10 µF, ± 20%, X5R, 16 V, 0805 [2012 公制] 新

C2012X5R1A106M125AB和C2012X5R1C106M085AC的区别

型号: C2012X5R1C106K085AC

品牌: 东电化

封装: 2012 10uF 16V 10per

类似代替

TDK  C2012X5R1C106K085AC  多层陶瓷电容器, 表面贴装, C Series, 10 µF, ± 10%, X5R, 16 V, 0805 [2012 公制]

C2012X5R1A106M125AB和C2012X5R1C106K085AC的区别

型号: 0805ZD106MAT2A

品牌: 艾维克斯

封装: 0805 10uF 10V 20per

功能相似

AVX  0805ZD106MAT2A  多层陶瓷电容器, 表面贴装, 10 µF, ± 20%, X5R, 10 V, 0805 [2012 公制]

C2012X5R1A106M125AB和0805ZD106MAT2A的区别