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CY7C1018DV33-10VXI

CY7C1018DV33-10VXI

数据手册.pdf

CY7C1018DV33 系列 1 Mb 128 K x 8 3.3 V 10 ns 静态 RAM - SOJ-32

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 10ns 32-SOJ


得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ


立创商城:
CY7C1018DV33-10VXI


贸泽:
静态随机存取存储器 1M 10ns 3.3V 128Kx8 Fast Async 静态随机存取存储器


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SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube


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Newark:
# CYPRESS SEMICONDUCTOR  CY7C1018DV33-10VXI  IC, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 10 ns Access Time, Parallel Interface, 3 V to 3.6 V supply, SOJ-32


DeviceMart:
IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ


CY7C1018DV33-10VXI中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

供电电流 60 mA

位数 8

存取时间 10 ns

内存容量 125000 B

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 32

封装 SOJ-32

外形尺寸

封装 SOJ-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.b

CY7C1018DV33-10VXI引脚图与封装图
CY7C1018DV33-10VXI引脚图

CY7C1018DV33-10VXI引脚图

CY7C1018DV33-10VXI封装图

CY7C1018DV33-10VXI封装图

CY7C1018DV33-10VXI封装焊盘图

CY7C1018DV33-10VXI封装焊盘图

在线购买CY7C1018DV33-10VXI
型号 制造商 描述 购买
CY7C1018DV33-10VXI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 CY7C1018DV33 系列 1 Mb 128 K x 8 3.3 V 10 ns 静态 RAM - SOJ-32 搜索库存
替代型号CY7C1018DV33-10VXI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C1018DV33-10VXI

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: SOJ 125000B 3.3V 32Pin

当前型号

CY7C1018DV33 系列 1 Mb 128 K x 8 3.3 V 10 ns 静态 RAM - SOJ-32

当前型号

型号: CY7C1018DV33-10VXIT

品牌: 赛普拉斯

封装: SOJ

完全替代

CY7C1018DV33 系列 1-Mb 128 K × 8 3.6 V 表面贴装 静态 RAM - SOJ-32

CY7C1018DV33-10VXI和CY7C1018DV33-10VXIT的区别

型号: CY7C1018CV33-12VXI

品牌: 赛普拉斯

封装: SOJ 1000000B 3.3V 12ns

类似代替

128K ×8静态RAM 128K x 8 Static RAM

CY7C1018DV33-10VXI和CY7C1018CV33-12VXI的区别

型号: IS63LV1024L-12JL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: SOJ 16000B 3.3V 12ns 32Pin

功能相似

IC, SRAM, 128Kbit, 128K x 8Bit, 12ns Access Time, TTL Interface, 3V to 3.6V supply, SOJ-32

CY7C1018DV33-10VXI和IS63LV1024L-12JL的区别