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CY14B104LA-BA45XI

CY14B104LA-BA45XI

数据手册.pdf

4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb(512K x 8) 并联 48-FBGA(6x10)


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CY14B104LA-BA45XI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 52 mA

存取时间Max 45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 FBGA-48

外形尺寸

封装 FBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

CY14B104LA-BA45XI引脚图与封装图
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在线购买CY14B104LA-BA45XI
型号 制造商 描述 购买
CY14B104LA-BA45XI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM 搜索库存
替代型号CY14B104LA-BA45XI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY14B104LA-BA45XI

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

当前型号

4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

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型号: CY14B104L-BA45XI

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完全替代

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CY14B104LA-BA45XI和CY14B104L-BA45XI的区别

型号: CY14B104LA-BA45XIT

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

完全替代

4兆位( 512K的X二百五十六分之八的K× 16 )的nvSRAM为20 ns , 25 ns的,和45 ns访问时间 4-Mbit 512 K x 8/256 K x 16 nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times

CY14B104LA-BA45XI和CY14B104LA-BA45XIT的区别

型号: CY14B104L-BA45XCT

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

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