CL21B104JBCNNND
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL21B104JBCNNND中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 0.1 µF
容差 ±5 %
电介质特性 X7R
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.85 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
材质 X7R/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 10000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CL21B104JBCNNND引脚图与封装图 
CL21B104JBCNNND引脚图
CL21B104JBCNNND封装图
CL21B104JBCNNND封装焊盘图
在线购买CL21B104JBCNNND
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL21B104JBCNNND | Samsung 三星 | 0805 100nF ±5% 50V X7R | 搜索库存 |
替代型号CL21B104JBCNNND
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL21B104JBCNNND 品牌： Samsung 三星 封装： 0805 100nF 50V 5per | 当前型号 | 0805 100nF ±5% 50V X7R | 当前型号 |
| 型号： CL21B104KBCNNNC 品牌： 三星 封装： 0805 100nF 50V 10per | 类似代替 | Samsung 0805 X7R/Y5V MLCC series reels### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。 | CL21B104JBCNNND和CL21B104KBCNNNC的区别 |
| 型号： CC0805JRX7R9BB104 品牌： 国巨 封装： 0805 100nF 50V 5per | 类似代替 | 0805 0.1 uF 50 V ±5 % 容差 X7R 表面贴装 陶瓷电容 | CL21B104JBCNNND和CC0805JRX7R9BB104的区别 |
| 型号： CL21B104JBCNNNC 品牌： 三星 封装： 0805 100nF 50V 5per | 类似代替 | 0.1uF 5% 50V X7R SMD 0805 多层陶瓷电容 | CL21B104JBCNNND和CL21B104JBCNNNC的区别 |