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CGH40006S
CREE(美国科锐) 主动器件

Trans JFET N-CH 84V 750mA GaN HEMT 6Pin QFN EP T/R

RF Mosfet HEMT 28V 100mA 0Hz ~ 6GHz 12dB 8W 6-QFN-EP 3x3


艾睿:
Trans FET N-CH 84V 750mA GaN HEMT 6-Pin QFN EP T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 84V 750mA GaN HEMT 6-Pin QFN EP T/R


DeviceMart:
FET RF HEMT 6GHZ 28V 3X3QFN


CGH40006S中文资料参数规格
技术参数

频率 0Hz ~ 6GHz

阈值电压 3 V

漏源击穿电压 120 V

输出功率 8 W

增益 12 dB

测试电流 100 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

额定电压 84 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 QFN-6

外形尺寸

长度 3.15 mm

宽度 3.15 mm

高度 1 mm

封装 QFN-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CGH40006S引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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型号: CGH40006S

品牌: CREE 美国科锐

封装: QFN-6

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