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CY62167GE18-55BVXIT

CY62167GE18-55BVXIT

数据手册.pdf

静态随机存取存储器 Micropower 静态随机存取存储器s

SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mb 2M x 8, 1M x 16 Parallel 55ns 48-VFBGA 6x8


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SRAM Chip Async 1.8V 16M-bit 1M x 16 55ns 48-Pin VFBGA T/R


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SRAM Chip Async Single 1.8V 16M-Bit 2M/1M x 8/16 55ns 48-Pin VFBGA T/R


CY62167GE18-55BVXIT中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 55 ns

存取时间Max 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 2.2V

封装参数

引脚数 48

封装 VFBGA-48

外形尺寸

封装 VFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

CY62167GE18-55BVXIT引脚图与封装图
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