CIG21C2R2MNE

Samsung(三星) 被动器件

0805 2.2uH ±20%

2.2µH Shielded Multilayer Inductor 800mA 250mOhm

得捷:
FIXED IND 2.2UH 800MA 250MOHM SM

艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 770mA 250mOhm DCR 0805 T/R

CIG21C2R2MNE中文资料参数规格

技术参数

额定电流 800 mA

容差 ±20 %

电感 2.2 µH

产品系列 CIG

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC） 250 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 4000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

CIG21C2R2MNE引脚图与封装图

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