CL32B475KBJNNNE
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL32B475KBJNNNE中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
绝缘电阻 10 GΩ
电容 4.7 µF
容差 ±10 %
电介质特性 X7R
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 3225
封装 1210
外形尺寸
长度 3.2 mm
宽度 2.5 mm
高度 2.5 mm
封装公制 3225
封装 1210
厚度 2.5 mm
物理参数
材质 X7R/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 1000
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CL32B475KBJNNNE引脚图与封装图
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在线购买CL32B475KBJNNNE
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL32B475KBJNNNE | Samsung 三星 | CL32 系列 1210 4.7 uF 50 V X7R ±10% 容差 表面贴装 多层陶瓷电容 | 搜索库存 |
替代型号CL32B475KBJNNNE
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL32B475KBJNNNE 品牌： Samsung 三星 封装： 1210 4.7uF 50V 10per | 当前型号 | CL32 系列 1210 4.7 uF 50 V X7R ±10% 容差 表面贴装 多层陶瓷电容 | 当前型号 |
| 型号： GCM32ER71H475KA55K 品牌： 村田 封装： 1210 4.7uF 50V 10per | 类似代替 | 1210 4.7uF ±10% 50V X7R | CL32B475KBJNNNE和GCM32ER71H475KA55K的区别 |
| 型号： GCM32ER71H475KA55L 品牌： 村田 封装： 1210 4.7uF 50V 10per | 功能相似 | Murata GCM 汽车 1210 系列GCM 系列符合 AEC-Q200 要求 低损耗，且适用于高频电路 新单片结构，用于小型、可表面安装设备，能够在高电压下工作 由于镀锡电极，确保良好的可焊性 非常适合用于高频脉冲电路，如减震器电路，用于直流-直流转换器 ### 1210 系列 | CL32B475KBJNNNE和GCM32ER71H475KA55L的区别 |
| 型号： UMK325BJ475KNHT 品牌： 太诱 封装： 1210 4.7µF 50V ±10% | 功能相似 | 1210 4.7uF ±10% 50V X5R | CL32B475KBJNNNE和UMK325BJ475KNHT的区别 |