CL21A475KAQNNNE
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL21A475KAQNNNE中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
工作电压 25 V
绝缘电阻 10 GΩ
电容 4.7 µF
容差 ±10 %
电介质特性 X5R
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -55 ℃
精度 ±10 %
额定电压 25 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
材质 X5R/-55℃~+85℃
工作温度 -55℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 2000
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CL21A475KAQNNNE引脚图与封装图 
CL21A475KAQNNNE引脚图
CL21A475KAQNNNE封装图
CL21A475KAQNNNE封装焊盘图
在线购买CL21A475KAQNNNE
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL21A475KAQNNNE | Samsung 三星 | 0805 4.7 uF 25 V ±10 % 容差 X5R 表面贴装 多层陶瓷电容 | 搜索库存 |
替代型号CL21A475KAQNNNE
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL21A475KAQNNNE 品牌： Samsung 三星 封装： 0805 4.7uF 25V 10per | 当前型号 | 0805 4.7 uF 25 V ±10 % 容差 X5R 表面贴装 多层陶瓷电容 | 当前型号 |
| 型号： CL21A475KAQNNNF 品牌： 三星 封装： 0805 4.7uF 25V 10per | 完全替代 | 4.7uF475 ±10% 25V 编带 | CL21A475KAQNNNE和CL21A475KAQNNNF的区别 |
| 型号： 08053D475KAT2A 品牌： 艾维克斯 封装： 0805 4.7uF 25V 10per | 类似代替 | AVX 08053D475KAT2A 多层陶瓷电容器, 表面贴装, 4.7 µF, ± 10%, X5R, 25 V, 0805 [2012 公制] | CL21A475KAQNNNE和08053D475KAT2A的区别 |
| 型号： GRM219R61E475KA73D 品牌： 村田 封装： 0805 4.7µF 25V ±10% | 类似代替 | MLCC-多层陶瓷电容器 | CL21A475KAQNNNE和GRM219R61E475KA73D的区别 |