BC857BT-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
BC857BT-7中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-523-3
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.75 mm
封装 SOT-523-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
BC857BT-7引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BC857BT-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC857BT-7 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-523 PNP 50V 100mA | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP BIPOLAR | 当前型号 |
| 型号： BC857BT-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-523 PNP 50V 100mA 150mW | 完全替代 | DIODES INC. BC857BT-7-F 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 290 hFE | BC857BT-7和BC857BT-7-F的区别 |
| 型号： BC856BT 品牌： Galaxy Semi-Conductor 封装： | 功能相似 | PNP General Purpose Transistor | BC857BT-7和BC856BT的区别 |