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BCP5310TA
Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R; 1K

- 双极 BJT - 单 PNP 150MHz 表面贴装型 SOT-223


得捷:
TRANS PNP 80V 1A SOT223-3


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R; 1K


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Allied Electronics:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4Pin SOT223


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


儒卓力:
**PNP TRANSISTOR 80V 1A SOT223 **


Win Source:
TRANS PNP 80V 1A SOT223


DeviceMart:
TRANS PNP 80V 1A 2W SOT223


BCP5310TA中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

耗散功率 2000 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 63

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCP5310TA引脚图与封装图
BCP5310TA引脚图

BCP5310TA引脚图

BCP5310TA封装图

BCP5310TA封装图

BCP5310TA封装焊盘图

BCP5310TA封装焊盘图

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