BCP5616QTA
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
BCP5616QTA中文资料参数规格
技术参数
频率 150 MHz
极性 NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCP5616QTA引脚图与封装图 
BCP5616QTA引脚图
BCP5616QTA封装图
BCP5616QTA封装焊盘图
在线购买BCP5616QTA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCP5616QTA | Diodes 美台 | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 搜索库存 |
替代型号BCP5616QTA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCP5616QTA 品牌： Diodes 美台 封装： TO-261-4 NPN 2W | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 当前型号 |
| 型号： BCP5616TA 品牌： 美台 封装： SOT-223 NPN 80V 1A 2000mW | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Medium Power | BCP5616QTA和BCP5616TA的区别 |
| 型号： BCP5616TC 品牌： 美台 封装： SOT223 NPN 80V 1A 2W | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | BCP5616QTA和BCP5616TC的区别 |
| 型号： DCP56-16-13 品牌： 美台 封装： SOT-223 NPN 1W | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 80V 1A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | BCP5616QTA和DCP56-16-13的区别 |