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BCX5616QTA

BCX5616QTA

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

Features

• Ic = 1A Continuous Collector Current

• Low Saturation Voltage VCEsat < 500mV @ 0.5A

• Gain Groups 10 and 16

• Epitaxial Planar Die Construction

• Complementary PNP types: BCX51, 52, and 53

• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant Notes 1 & 2

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device Note 3

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP capable Note 4

Applications

• Medium Power Switching or Amplification Applications

• AF driver and output stages

BCX5616QTA中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 NPN

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

BCX5616QTA引脚图与封装图
BCX5616QTA引脚图

BCX5616QTA引脚图

BCX5616QTA封装图

BCX5616QTA封装图

BCX5616QTA封装焊盘图

BCX5616QTA封装焊盘图

在线购买BCX5616QTA
型号 制造商 描述 购买
BCX5616QTA Diodes 美台 Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R 搜索库存
替代型号BCX5616QTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BCX5616QTA

品牌： Diodes 美台

封装： TO-243AA NPN 1W

当前型号

Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

当前型号

型号： BCX5616TA

品牌： 美台

封装： SOT-89 NPN 80V 1A 1000mW

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