BC848BW-7-F
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
BC848BW-7-F中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BC848BW-7-F引脚图与封装图
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在线购买BC848BW-7-F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC848BW-7-F | Diodes 美台 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN BIPOLAR | 搜索库存 |
替代型号BC848BW-7-F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC848BW-7-F 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-323 NPN 200mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN BIPOLAR | 当前型号 |
| 型号： BC849BW,115 品牌： 安世 封装： | 类似代替 | TRANS NPN 30V 0.1A SOT323 | BC848BW-7-F和BC849BW,115的区别 |
| 型号： BC847BW 品牌： Diotec Semiconductor 封装： | 类似代替 | Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 200mW; SOT323 | BC848BW-7-F和BC847BW的区别 |
| 型号： BC849BW,135 品牌： 恩智浦 封装： SOT323 NPN | 类似代替 | SC-70 NPN 30V 0.1A | BC848BW-7-F和BC849BW,135的区别 |