BC857BFZ-7B

Diodes(美台) 分立器件

Bipolar Transistors - BJT PNP SS Trans -100mA 45Vceo 0.435W 175mV

Bipolar BJT Transistor PNP 45V 100mA 100MHz 435mW Surface Mount X2-DFN0606-3

得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN060

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP SS Trans -100mA 45Vceo 0.435W 175mV

艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R

BC857BFZ-7B中文资料参数规格

技术参数

频率 270 MHz

极性 PNP

耗散功率 350 mW

增益频宽积 200 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220

最大电流放大倍数hFE 475

额定功率Max 435 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 925 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN0606-3

外形尺寸

封装 DFN0606-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC857BFZ-7B引脚图与封装图

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