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BCW68HTA
Diodes(美台) 分立器件

BCW68H 系列 PNP 0.8 A 45 V 表面贴装 硅 中等功率 晶体管 - SOT-23

This specially engineered PNP GP BJT from Zetex comes with a variety of characteristics including absolute maximum ratings, thermal characteristics, and DC and AC electrical characteristics. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 350 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.

BCW68HTA中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -800 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V

额定功率Max 330 mW

直流电流增益hFE 350

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCW68HTA引脚图与封装图
BCW68HTA引脚图

BCW68HTA引脚图

BCW68HTA封装图

BCW68HTA封装图

BCW68HTA封装焊盘图

BCW68HTA封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
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型号: BCW68HTA

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-23-3 PNP 45V 800mA 350mW

当前型号

BCW68H 系列 PNP 0.8 A 45 V 表面贴装 硅 中等功率 晶体管 - SOT-23

当前型号

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品牌: 安森美

封装: SOT-23-3 PNP 540mW

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