BFP196WNH6327XTSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
针脚数 4
耗散功率 700 mW
输入电容 0.35 pF
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 9.7 dB
最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 8V
额定功率Max 700 mW
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343-4
封装 SOT-343-4
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
制造应用 GNSS active antenna, Power amplifier for DECT and PCN systems, Amplifiers in antenna and telecommunications systems
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BFP196WNH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, 70 hFE | 搜索库存 |