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BFP196WNH6327XTSA1

BFP196WNH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, 70 hFE

Summary of Features:

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For high voltage applications VCE < 12 V
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Maximal power Ptot = 700 mW
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Transition frequency fT = 7.5 GHz
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Noise figure NFmin = 1.3 dB at 900 MHz
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Easy to use Pb-free RoHS compliant and halogen-free industry
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standard SOT343 package with visible leads
BFP196WNH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

耗散功率 700 mW

输入电容 0.35 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 9.7 dB

最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 8V

额定功率Max 700 mW

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343-4

外形尺寸

封装 SOT-343-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用 GNSS active antenna, Power amplifier for DECT and PCN systems, Amplifiers in antenna and telecommunications systems

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

BFP196WNH6327XTSA1引脚图与封装图
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