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BSP125 L6433

BSP125 L6433

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
BSP125 L6433中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 45000 mΩ

耗散功率 1.8 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 14.4 ns

输入电容Ciss 150pF @25VVds

额定功率Max 1.8 W

下降时间 14.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-4

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSP125 L6433引脚图与封装图
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在线购买BSP125 L6433
型号 制造商 描述 购买
BSP125 L6433 Infineon 英飞凌 Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R 搜索库存