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BSP89E6327

BSP89E6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 主动器件
BSP89E6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 240 V

额定电流 200 mA

耗散功率 1.8 W

输入电容 45.0 pF

栅电荷 1.50 nC

漏源极电压Vds 240 V

连续漏极电流Ids 200 mA

上升时间 3.5 ns

输入电容Ciss 80pF @25VVds

下降时间 18.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-4

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

BSP89E6327引脚图与封装图
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在线购买BSP89E6327
型号 制造商 描述 购买
BSP89E6327 Infineon 英飞凌 Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 搜索库存
替代型号BSP89E6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSP89E6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-223 240V 200mA

当前型号

Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223

当前型号

型号: BSP88E6327

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 240V 320mA

功能相似

MOSFET N-CH 240V 350mA SOT223

BSP89E6327和BSP88E6327的区别

型号: BSP92E6327

品牌: 英飞凌

封装:

功能相似

SOT-223P-CH 240V 0.2A

BSP89E6327和BSP92E6327的区别