BSM50GD120DN2BOSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK

The BSM50GD120DN2 is an IGBT Low Power Module with fast free wheel diodes and insulated metal base plate.

得捷:
IGBT MOD 1200V 72A 350W

艾睿:
72 A, 1200 V, N-Channel IGBT

Newark:
IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK

BSM50GD120DN2BOSA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 17

极性 N-Channel

耗散功率 350 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 3.3nF @25V

额定功率Max 350 W

工作温度Max 125 ℃

封装参数

安装方式 Solder

引脚数 17

封装 EconoPACK

外形尺寸

封装 EconoPACK

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准

含铅标准

BSM50GD120DN2BOSA1引脚图与封装图

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BSM50GD120DN2BOSA1	Infineon 英飞凌	晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK	搜索库存