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BUZ73 H3046

BUZ73 H3046

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件
BUZ73 H3046中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 400 mΩ

耗散功率 40 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

上升时间 40 nS

输入电容Ciss 530pF @25VVds

额定功率Max 40 W

下降时间 30 nS

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BUZ73 H3046引脚图与封装图
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BUZ73 H3046 Infineon 英飞凌 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 搜索库存