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BLF888ESU
Ampleon USA 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 104V 5Pin SOT-539B Bulk

RF Mosfet LDMOS(双),共源 50 V 600 mA 600MHz ~ 700MHz 17dB 750W SOT539B


得捷:
RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 104V 5-Pin SOT-539B Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 0.47 to 0.79 GHz, 750 W, 17 dB, SOT539B, LDMOS


BLF888ESU中文资料参数规格
技术参数

频率 600MHz ~ 700MHz

输出功率 750 W

增益 17 dB

测试电流 600 mA

输入电容Ciss 210pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 104 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

BLF888ESU引脚图与封装图
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