BDT61
数据手册.pdf
Bourns J.W. Miller
伯恩斯
电子元器件分类
BDT61中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 750
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
BDT61引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BDT61
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BDT61 | Bourns J.W. Miller 伯恩斯 | NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS | 搜索库存 |
替代型号BDT61
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BDT61 品牌： Bourns J.W. Miller 伯恩斯 封装： | 当前型号 | NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS | 当前型号 |
| 型号： BD241B-S 品牌： 伯恩斯 封装： TO-220-3 NPN | 类似代替 | TO-220 NPN 80V 3A | BDT61和BD241B-S的区别 |
| 型号： TIP120G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 NPN 60V 5A 2000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR TIP120G. 双极晶体管 | BDT61和TIP120G的区别 |
| 型号： TIP110G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 NPN 60V 2A 2000mW | 功能相似 | 塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors | BDT61和TIP110G的区别 |
