BLF4G20LS-110B
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
主动器件
电源电压DC 28.0 V
额定电压DC 28.0 V
额定电流 650 mA
漏源极电阻 90 mΩ
漏源击穿电压 65 V
上升时间 22 ns
增益 12.2 dB
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 LDMOST-3
长度 20.7 mm
宽度 9.91 mm
高度 4.72 mm
封装 LDMOST-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BLF4G20LS-110B | NXP 恩智浦 | UHF功率LDMOS晶体管 UHF power LDMOS transistor | 搜索库存 |