BF1211R
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NXP
恩智浦
主动器件
BF1211R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 6.00 V
额定电流 30.0 mA
耗散功率 180 mW
漏源极电压Vds 6.00 V
漏源击穿电压 6 V
连续漏极电流Ids 30.0 mA
上升时间 15 ns
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 180 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-61B
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SC-61B
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BF1211R引脚图与封装图
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在线购买BF1211R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BF1211R | NXP 恩智浦 | N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETs | 搜索库存 |
替代型号BF1211R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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