BC859CLT3
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ON Semiconductor
安森美
电子元器件分类
BC859CLT3中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
BC859CLT3引脚图与封装图
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在线购买BC859CLT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC859CLT3 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管 General Purpose Transistors | 搜索库存 |
替代型号BC859CLT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC859CLT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | 通用晶体管 General Purpose Transistors | 当前型号 |
| 型号： BC859C 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | General Purpose Applications, 30V, 100mA, 330mW, B= 420~800, > 250MHz | BC859CLT3和BC859C的区别 |
| 型号： BC859CLT3G 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon | BC859CLT3和BC859CLT3G的区别 |
