BUH515D
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ST Microelectronics
意法半导体
主动器件
BUH515D中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 700 V
集电极最大允许电流 8A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 ISOWATT-218
外形尺寸
封装 ISOWATT-218
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
BUH515D引脚图与封装图
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在线购买BUH515D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUH515D | ST Microelectronics 意法半导体 | 高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号BUH515D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUH515D 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： ISOWATT218 NPN | 当前型号 | 高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | 当前型号 |
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| 型号： BU2508A 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor | BUH515D和BU2508A的区别 |